全球存储巨头铠侠（KIOXIA）于2026年3月31日正式发布停产通知，重磅宣布终止旗下32nm、24nm、15nm制程，以及BiCSFLASH™第三代全系NAND闪存产品的生产，涵盖存储行业多类核心产品形态。此次停产范围极为广泛，覆盖SLC、MLC、TLC全类型颗粒，以及Wafer、BGA、TSOP、eMMC、UFS、NormalSD等多种封装形式，涉及消费电子、工业控制等多个领域的核心存储配件

3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂，近期成功完成工艺制程升级，正式实现V8（236L）3DNAND闪存量产，标志着其在高端存储领域的产能与技术再获突破。作为三星韩国本土外重要的半导体生产基地，西安晶圆厂此次工艺升级始于2024年，核心目标是改造原有V6（128L）NAND生产线，进一步提升产品性能与生产效率，强化产能竞争力，精准匹配AI时代对高性能存储设备

当前全球NAND闪存市场供需失衡态势持续加剧，价格一路攀升，供应紧张局面未有丝毫缓解，直接传导至整个存储供应链上下游。作为全球领先的NAND控制器供应商，群联电子（Phison）已正式向旗下客户发出通知，宣布将调整现有付款条款。群联电子方面明确表示，近期NAND闪存价格的持续暴涨，导致公司采购原材料的资金需求大幅增加，为了确保自身能从上游拿到更稳定的NAND供应，保障对下游客户的交付能力，公司将与

存储芯片市场迎来“暴涨潮”，DRAM与NAND闪存价格同步飙升，双双创下历史新高，延续此前的强势上涨态势，行业高景气度持续凸显，对下游终端产业链产生深远影响。据市场研究公司DRAMeXchange于2月27日发布的数据显示，2月份通用PCDRAM产品（DDR48Gb1Gx8）的平均固定交易价格达13.00美元，较上月的11.50美元上涨13.04%，这一价格创下自2016年6月该机构启动该项调查以

据韩国权威行业媒体最新披露，三星电子第一季度将NAND闪存供应价格上调超过100%，涨幅远超此前市场预期，凸显当前半导体市场供需严重失衡的现状。消息人士透露，三星已于去年底完成与主要客户的供应合同谈判，并自1月起正式执行新的价格体系。这是继此前DRAM内存价格上调近70%后，存储市场迎来的又一次剧烈价格波动。报道进一步指出，三星已开始与客户就第二季度NAND价格展开新一轮谈判，市场普遍预期涨价势头

1月22日，综合国内媒体援引外媒报道，铠侠存储器事业部执行董事中户俊介（ShunsukeNakato）在近日接受采访时，透露一则震撼行业的消息：铠侠2026年NAND闪存产能已全部被客户锁定，相当于提前售罄，且这一产能紧俏状态将在2027年持续，供应短缺态势难缓解。中户俊介表示，当前科技行业格局已明确，科技巨头“不投资AI就不能活”的趋势，至少将持续到明年。受此带动，包括NAND闪存在内的整体存储

2025年11月27日，日本权威媒体《日刊工业新闻》披露重磅消息：日本存储巨头KIOXIA铠侠与美国闪存企业Sandisk闪迪，正计划联合在美国兴建NAND晶圆厂。更为关键的是，这一跨洋合作计划已获得日美两国政府的明确支持意向，有望借助政策红利加速落地。作为全球NAND闪存市场的核心力量，铠侠与闪迪的联盟长期以日本为产能核心——当前双方共有的NAND晶圆厂集中布局于日本四日市和北上市，其中四日市工